超薄Si片
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化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
| 产品简介 | ||
|---|---|---|
| 掺杂物质 |
掺B |
掺P |
| 类型 | P | N |
| 电阻率Ω.cm |
10-3 ~ 40 |
10-3 ~ 40 |
| EPD(cm-2 ) | ≤100 | ≤100 |
| 氧含量( /cm3 ) |
≤1.8 x1018 |
≤1.8 x1018 |
| 碳含量( /cm3 ) |
≤5x1016 |
|
● 晶体方向： <111> ； <100> ； <110> ± 0.5o 或 特殊的方向
● 常规尺寸：dia2"x0.1mm,dia2"x0.2 mm
● dia2"直径公差±0.4mm；厚度公差±25um
● 可根据要求提供特殊尺寸和方向的基片
● 产品包装：单片盒或25片插盒封装
● 同时可提供热氧化SiO2层的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询！
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