应用范围:OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化学混合气相沉积)系统,带有独特的原料推进系统和1350℃原位蒸发枪。原料推进系统和同时/依次将3种反应原料推入到炉管中(可设定推入位置和推进速度),以达到适合的蒸发温度。温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,也可多固体原料原位蒸发。所以此系统可对4种固体或液体源供蒸发。此设备适合各种HPCVD实验,特别适用于制备多层二维晶体材料。操作面板为PLC触摸屏,用户可设置进料速度,进料位置及实时监测蒸发原料的温度。
产品型号 :OTF-1200X-III-HPCVD-SE
上架时间 :2019-07-05
安装尺寸:4000×600×1500m
OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化学混合气相沉积)系统,带有独特的原料推进系统和1350℃原位蒸发枪。原料推进系统和同时/依次将3种反应原料推入到炉管中(可设定推入位置和推进速度),以达到适合的蒸发温度。温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,也可多固体原料原位蒸发。所以此系统可对4种固体或液体源供蒸发。此设备适合各种HPCVD实验,特别适用于制备多层二维晶体材料。操作面板为PLC触摸屏,用户可设置进料速度,进料位置及实时监测蒸发原料的温度。
性能指标和基本配置 | |
---|---|
炉体结构 |
● 独特的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中(并可实时监测其温度),温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,适合用HPCVD法生长多层膜。 |
电源要求 |
● 单相208~240VAC |
加热区 |
● 三个加热区,每个加热区长度:300mm |
恒温区 | |
工作温度 |
● 最高工作温度:1200℃(<1hr) |
升温速率 |
≤ 10°C /min |
原料推进系统&蒸发枪 |
● 独特的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中(并可实时监测其温度),利用推送系统可将3个不同蒸发源同时/依次送入3个独立的小石英管中,精确地找到所需温度,保证实验精确性和重复性 |
坩埚移动控制 |
● 坩埚的移动速度和移动距离通过步进电机驱动,可设定控制 |
沉积样品台 |
● 特殊设计样品台,带有手动遮挡板,放置原料交替试导致所制备样品污染 |
温度控制系统 |
● 三个温区由三个独立的温控系统控制,采用PID方式调节温度,可设置30段升降温程序 |
管式炉配置 |
● 炉管,采用高纯石英管,尺寸为Φ130(外)mm×Φ122(内)mm×1200mm(长) |
真空计 |
● 防腐型复合真空计(皮拉尼和隔膜规) |
真空泵&真空度 | |
气体流量控制系统 | |
循环水冷机 | |
设备尺寸 | |
国家专利 |
专利名称:一种小型热等静压炉装置 |
质量认证 | |
保修期 |
一年保修,终身技术支持。 特别提示: 1.耗材部分如加热元件,石英管,样品坩埚等不包含在内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。 点击查看售后服务承诺书。 |
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