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OTF-1200X-III-HPCVD-SE 1200℃三温区HPCVD系统

应用范围:OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化学混合气相沉积)系统,带有独特的原料推进系统和1350℃原位蒸发枪。原料推进系统和同时/依次将3种反应原料推入到炉管中(可设定推入位置和推进速度),以达到适合的蒸发温度。温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,也可多固体原料原位蒸发。所以此系统可对4种固体或液体源供蒸发。此设备适合各种HPCVD实验,特别适用于制备多层二维晶体材料。操作面板为PLC触摸屏,用户可设置进料速度,进料位置及实时监测蒸发原料的温度。

产品型号 :OTF-1200X-III-HPCVD-SE

上架时间 :2019-07-05

安装尺寸:4000×600×1500m

产品简述 产品详情 产品视频 留言咨询

       OTF-1200X-III-HPCVD-SE是一款HPCVD(物理/化学混合气相沉积)系统,带有独特的原料推进系统和1350℃原位蒸发枪。原料推进系统和同时/依次将3种反应原料推入到炉管中(可设定推入位置和推进速度),以达到适合的蒸发温度。温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,也可多固体原料原位蒸发。所以此系统可对4种固体或液体源供蒸发。此设备适合各种HPCVD实验,特别适用于制备多层二维晶体材料。操作面板为PLC触摸屏,用户可设置进料速度,进料位置及实时监测蒸发原料的温度。

 性能指标和基本配置
炉体结构

● 独特的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中(并可实时监测其温度),温度可控型原位蒸发枪,最高温度可达1350℃,适合用HPCVD法生长多层膜。
● 炉体为三温区开启式管式炉,由三个独立的温控系统控制每个温区,其控温精度可达±0.1℃ 。
● 双层壳体结构,并带有风冷系统,保证炉体表面温度低于60℃ 。
● 采用氧化铝纤维作为炉膛材料,表面涂有高温氧化铝涂层,可提高加热效率,和延长使用寿命 。
● 炉体开启式设计,便于跟换炉管,并且带有开启断电功能,保证操作安全。
1

电源要求

● 单相208~240VAC
● 最大功率9KW(需60A的空气开关)

加热区

● 三个加热区,每个加热区长度:300mm
● 总加热区长度:900mm

恒温区

恒温区长度:625mm(±2℃)
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工作温度

● 最高工作温度:1200℃(<1hr)
●连续工作温度:100~1100℃

升温速率

≤ 10°C /min

原料推进系统&蒸发枪

● 独特的原料推进系统可在真空或气氛保护环境下同时/依次推进3种原料进入到管式炉中(并可实时监测其温度),利用推送系统可将3个不同蒸发源同时/依次送入3个独立的小石英管中,精确地找到所需温度,保证实验精确性和重复性
● 蒸发枪:采用钨线圈加热,氧化铝坩埚装料,其最高温度可达1350℃,控温精度±1℃
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坩埚移动控制

● 坩埚的移动速度和移动距离通过步进电机驱动,可设定控制
● 最大移动距离: 530mm (精度1mm)

沉积样品台

● 特殊设计样品台,带有手动遮挡板,放置原料交替试导致所制备样品污染
● 可手动调节样品台在炉管中的位置
● 可选择水平样品台,或倾斜式样品台
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温度控制系统

● 三个温区由三个独立的温控系统控制,采用PID方式调节温度,可设置30段升降温程序
● 欧陆仪表控制,控温精度可达±0.1℃
● 带有超温和断偶报警
● 三个K型热偶(每个温区1个)
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管式炉配置

● 炉管,采用高纯石英管,尺寸为Φ130(外)mm×Φ122(内)mm×1200mm(长)
● 配有2个氧化铝管堵,防止热辐射(加热前管堵必须放入到炉管内)
● 可选购石英管堵,保证反应环境洁净
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真空计

● 防腐型复合真空计(皮拉尼和隔膜规)
● 测量范围:3.8E-5 ~ 1125 torr

真空泵&真空度

● 真空度:10E-2 torr(采用机械泵),10-E5 torr(采用分子泵)
1
可在本公司选用各种真空泵

气体流量控制系统

配有4通道气体流量控制系统,采用触摸屏设定参数
1

循环水冷机

设备采用水冷不锈钢密封法兰,所以配有循环水冷机
1

设备尺寸

4000×600×1500m
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国家专利

专利名称:一种小型热等静压炉装置
专利编号:ZL-2015-1-0417026.0
尊重创新、鄙视抄袭、侵权必究

质量认证

● CE认证
● 所有电器元件(≧24V)都通过了UL/MET/CSA认证
1

保修期 一年保修,终身技术支持。
特别提示:
1.耗材部分如加热元件,石英管,样品坩埚等不包含在内。
2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。
点击查看售后服务承诺书。
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